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百及纳米超高精度电子束光刻机

百及纳米原子级制造尺度超高精度电子束光刻机P21,以常规30KV电子束光刻机为载体,通过国际唯一性专利技术对其进行功能及性能指标的显著提升。


图:超高精度电子束光刻机
超高精度电子束光刻机


百及纳米P21是一款集光刻功能,扫描电镜功能和纳米探针表面量测功能为一体的组合系统:


  • 实现新颖的电子束闭环控制系统,实现电子束的原位检测与校正;
  • 写场的超高精度拼接(误差≤2 – 8 nm);
  • 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的相对空间漂移,将其位置稳定性提高到 ≤15 nm/h


光刻结构示例


纳米光栅结构
纳米光栅结构
高精度写场拼接
高精度写场拼接


没有百及纳米闭环控制技术的拼接实例
没有百及纳米闭环控制技术的拼接实例


使用百及纳米闭环控制技术改进后的拼接实例
使用百及纳米闭环控制技术改进后的拼接实例


设备性能主要参数


主要功能 高分辨电子束曝光、成像
电子枪 肖特基热场发射
加速电压 20 V – 30 kV
束电流范围 5 pA – 20 nA
电子束束斑 ≤ 1.6 nm
最小光刻线宽 ≤ 10 nm
束流漂移 ≤ 0.5%/hour
图形发生器扫描频率 ≥ 5 MHz(可选20 MHz)
曝光写场尺寸 ≤ 1000 μm
晶圆样品尺寸 2英寸,4英寸,6英寸可选
写场横向拼接精度 ≤ 2 – 8 nm
电子束稳定工作模式 闭环控制电子束空间漂移
电子束位置稳定性 ≤ 15 nm/h
工作台移动范围

50mm×50mm×25mm

(100mm×100mm×25mm,

150mm×150mm×25mm可选)


 

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