百及纳米超高精度电子束光刻机
百及纳米原子级制造尺度超高精度电子束光刻机P21,以常规30KV电子束光刻机为载体,通过国际唯一性专利技术对其进行功能及性能指标的显著提升。
超高精度电子束光刻机
百及纳米P21是一款集光刻功能,扫描电镜功能和纳米探针表面量测功能为一体的组合系统:
- 实现新颖的电子束闭环控制系统,实现电子束的原位检测与校正;
- 写场的超高精度拼接(误差≤2 – 8 nm);
- 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的相对空间漂移,将其位置稳定性提高到 ≤15 nm/h
光刻结构示例
纳米光栅结构
高精度写场拼接
没有百及纳米闭环控制技术的拼接实例
使用百及纳米闭环控制技术改进后的拼接实例
设备性能主要参数
| 主要功能 | 高分辨电子束曝光、成像 |
| 电子枪 | 肖特基热场发射 |
| 加速电压 | 20 V – 30 kV |
| 束电流范围 | 5 pA – 20 nA |
| 电子束束斑 | ≤ 1.6 nm |
| 最小光刻线宽 | ≤ 10 nm |
| 束流漂移 | ≤ 0.5%/hour |
| 图形发生器扫描频率 | ≥ 5 MHz(可选20 MHz) |
| 曝光写场尺寸 | ≤ 1000 μm |
| 晶圆样品尺寸 | 2英寸,4英寸,6英寸可选 |
| 写场横向拼接精度 | ≤ 2 – 8 nm |
| 电子束稳定工作模式 | 闭环控制电子束空间漂移 |
| 电子束位置稳定性 | ≤ 15 nm/h |
| 工作台移动范围 |
50mm×50mm×25mm (100mm×100mm×25mm, 150mm×150mm×25mm可选) |
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