北京汇德信科技有限公司

高分辨紫外/深紫外PHABLE光刻机

高分辨紫外/深紫外

PHABLE光刻机

PHABLE应用 技术文章

高分辨紫外/深紫外PHABLE光刻机(全息光刻系统)


简介


瑞士Eulitha公司成立于2006年,主要成员来自有30年以上半导体微加工制造经验的,保罗谢尔研究所科学团队。



Eulitha公司开发的PhableR光刻系统,是一款纳米级高分辨图形化设备。PhableR设备的推出,极大地简化了高质量、大面积纳米周期图形的加工过程。Eulitha公司背靠保罗谢尔研究所的强大研究团队,多年来不断致力于提升技术能力,目前客户已经分布在全球众多领域的顶尖科研院所和工业企业。


北京汇德信科技有限公司是瑞士Eulitha公司在中国的独家代理,公司团队有25年以上微纳米加工领域的销售和服务经验,具备完整的咨询和技术支持体系。



EULITHA AG公司开发的PHABLE大面积、低成本的纳米图形化方案,采用突破性的Displacement Talbot Lithography专利技术。相比传统的电子束光刻、投影式光刻机、纳米压印等纳米结构方案中,遇到的生产效率、良率、生产成本等问题,PHABLE光刻技术提供了高精度、高均匀性、低缺陷率、高产率的解决方案。



应用领域:


照明、激光器、光通信、高端显示、太阳能、传感器、仿生等。


特点及优势:


  • 稳定的纳米级分辨能力;
  • 大面积全域曝光,无需拼接;
  • 无限制DOF,厚胶、表面翘曲无影响;
  • 双工作模式:
    全息光刻模式:周期性纳米结构;
    掩膜对准光刻模式:任意微米级结构。
  • 简化的曝光流程,可实现一键式曝光
  • 灵活的客户定制化方案



指标:


光源 UV (near-i line) DUV (248nm) DUV (193nm)
曝光面积 4、6、8英寸,全域曝光
分辨率 <100nm <80nm <50nm
图形周期范围 250-1100 nm 165-900 nm 125-800 nm
图形占空比范围 30-50%
套刻对准及精度 手动对准,套刻精度 ±2 μm
操作方式 手动装片,自动曝光
参数设置 PLC触屏 Windows系统PC


PhableR高分辨紫外光刻系统 / 全息光刻系统


PhableR 100 晶圆级光子学结构的曝光工具




指标:


光源 UV (near-i line) DUV (248nm) DUV (193nm)
曝光面积 4、6、8英寸,全域曝光
*可定制,步进式曝光
分辨率 <100nm <80nm <50nm
图形周期范围 250-2150 nm 165-1750 nm 125-1500 nm
图形占空比范围 30-70%
套刻对准及精度 半自动对准,套刻精度优于±1 μm,
*可升级全自动对准,套刻精度±0.5 μm
操作方式 手动装片,自动曝光
*可升级为全自动传输及曝光
参数设置 Windows系统PC


 工业型PhableX 高分辨紫外/深紫外光刻机/全息光刻系统
PhableX高分辨紫外光刻系统 / 全息光刻系统



更多信息,请登录:http://www.eulitha.com/


PhableR应用



激光器


(1)分布式反馈激光器,即DFB激光器。与其它激光器不同之处,是内置了布拉格光栅。目前,DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器最大特点是具