北京汇德信科技有限公司

极紫外光源

极紫外光源


EUV 极紫外光源 EUV极紫外光源图1


EUV光刻(EUVL)正应用于大规模生产特征尺寸小于20 nm的微芯片。随着全球范围内EUV应用技术的发展,对用于研发和计量应用的紧凑、可靠的EUV光源的需求不断增长。 我们实现了一种紧凑的,由气体放电驱动的EUV光源,在13.5 nm的波长下,平均EUV光源输出功率高达40 W,光谱带宽为±1%。该光源基于空心阴极触发(HCT)放电技术,该技术已被证明可以有效地发射软X射线至极紫外范围内的光。 自2000年以来,我们与合作伙伴一直在开发这种技术,并且已经在全球的客户进行了商业使用。


EUV 极紫外光源图2


典型参数



Stand. operation

高功率选项

高能量选项

EUV功率转换为2π球面度
13.5 nm±1b.w.

20 W

40 W

10 W

EUV脉冲能量转换为2π球面度
13.5 nm±1b.w.

16 mJ

22 mJ

32 mJ

脉冲频率

1500 Hz

2500 Hz

400 Hz

峰值亮度

8 W /(mm2sr)

12 W /(mm2sr)

3 W /(mm2sr)

EUV脉冲持续时间

<50 ns

<50 ns

<50 ns

典型的EUV发射直径
(垂直于光轴)

250-500μm

250-500μm

250-500μm

典型的氙流量

30-40 sccm

30-40 sccm

30-40 sccm

光学收集器最大开放角度

90°

90°

90°


量身定制的功能和服务


  • 剂量控制
  • 参数灵活性
  • 主动反馈回路控制
  • 光学集成
  • 完整的PLC自动化
  • 系统接口
  • 脉冲间隔控制
  • 远程控制


物理规格和供应要求



xx

重量

供应

源模块

850 x 660 x 310 mm3

ca. 200kg

氙气(1.5-3.0巴)

电气柜

2000 x 600 x 1000 mm3

ca. 300 kg

CEE 400 V / 63 A

冷却柜

2000 x 800 x 800 mm3

ca. 260 kg

Facility Water (≤ 15 °C, 30 l/min)

 

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