氮化镓厚膜晶片

2英寸氮化镓厚膜晶片

2" GaN Templates

产品型号 Item	GaN-T-N			GaN-T-S
尺寸 Dimensions	Ф 2"
厚度 Thickness	20 μm, 30 μm			30 μm, 90 μm
导电类型 Conduction Type	N-type			Semi-Insulating
电阻率 Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm			>10⁶ Ω·cm
位错密度 Dislocation Density	Less than 1x10₈ cm^-2
包装 Package	在100级洁净室氮气保护下包装，每盒25片。

2英寸氮化镓自支撑晶片
2" Free-Standing GaN Substrates

产品型号 Item	GaN-FS-N			GaN-FS-SI
尺寸 Dimensions	Ф 50.8mm ± 1mm
厚度 Thickness	260 ± 20 μm
导电类型 Conduction Type	N-type			Semi-Insulating
电阻率 Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm			>10⁶ Ω·cm
位错密度 Dislocation Density	Less than 5x10⁶ cm^-2
抛光 Polishing Front Surface:	Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: 1. Fine ground 2. Rough grinded
包装 Package	在100级洁净室氮气保护下包装，每片独立包装。

定制尺寸氮化镓自支撑晶片
Free-standing GaN Substrates (Customized size)

产品型号 Item	GaN-FS-5	GaN-FS-10	GaN-FS-15
尺寸 Dimensions	5.0mm×5.5mm	10.0mm×10.5mm	14.0mm×15.0mm
厚度 Thickness	230 ± 20 μm,280 ± 20 μm
导电类型 Conduction Type	N-type		Semi-Insulating
电阻率 Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm		>10⁶ Ω·cm
位错密度 Dislocation Density	Less than 5x10⁶ cm^-2
抛光 Polishing	Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: 1. Fine ground 2. Rough grinded
包装 Package	在100级洁净室氮气保护下包装，每片独立包装。

产品型号 Item	GaN-FS-N-1.5
尺寸 Dimensions	Ф 38.1mm ± 0.5mm
厚度 Thickness	260 ± 20 μm
导电类型 Conduction Type	N-type
电阻率 Resistivity(300K)	< 0.5 Ω·cm
抛光 Polishing	Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: 1. Fine ground 2. Rough grinded
包装 Package	在100级洁净室氮气保护下包装，每片独立包装。

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