北京汇德信科技有限公司

半导体单晶


Crystal Doping Type Carrier Concentr
[cm-3]
EPD
[cm-2]
Growth Technique &
Diameter
Info
GaAs
砷化镓单晶
None
Si
Cr
Te
Zn
SI
N
SI
N
P
/
1017 ... 1019
/
1017 ... 1019
1017 ... 1019
< 1x105 CZ, LEC &
HB
ø3"
GaP
磷化镓单晶
S
Te
Zn
N
N
P
1017 ... 3x1018
1017 ... 3x1018
1017 ... 5x1018
< 105 CZ & LEC
ø50mm
GaSb
锑化镓单晶
None
Zn
Te
Hi-R
Hi-R
P
P+
N
P
N
2x1016
1-5x1018
2-6x1017
1-5x1016
1-5x1016
< 103 CZ & LEC
ø3"
Ge
锗单晶
None
Sb
P
N
< 5x103 CZ/Br
ø1" - ø4"
InAs
砷化铟单晶
None N 1-2x1016 < 5x104

LEC
ø30mm

InP
磷化铟单晶
None
Sn
S
Fe
Zn
N
N
N
SI
P
1-2x1016
1-3x1018
1-4x1018
/
0.6-4x1018
< 5x104 LEC
ø2"
Si
硅单晶
None
B
As
P
Sb

P
N
N
N
CZ/FZ
ø2" - ø6"
CdS
硫化镉单晶
None Markov
ø2"
详情
CdSe
硒化镉单晶
None Markov
ø2"
详情
CdTe
碲化镉单晶
None Br 详情
ZnS
硫化锌单晶
None Markov
ø30mm
详情
ZnSe
硒化锌单晶
None Markov
ø30mm
详情
ZnTe
碲化锌单晶
None Markov
ø30mm
详情

 

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