半导体单晶
	
| Crystal | Doping | Type | 
					Carrier Concentr [cm-3]  | 
				
					EPD [cm-2]  | 
				
					Growth Technique & Diameter  | 
				Info | 
|---|---|---|---|---|---|---|
| 
					GaSb 锑化镓单晶  | 
				
					None Zn Te Hi-R Hi-R  | 
				
					P P+ N P N  | 
				
					2x1016 1-5x1018 2-6x1017 1-5x1016 1-5x1016  | 
				< 103 | 
					CZ & LEC ø3"  | 
				
					 | 
			
| 
					Ge 锗单晶  | 
				
					None Sb  | 
				
					P N  | 
				
					 | 
				< 5x103 | 
					CZ/Br ø1" - ø4"  | 
				
					 | 
			
| 
					Si 硅单晶  | 
				
					None B As P Sb  | 
				
					 P N N N  | 
				
					 | 
				
					 | 
				
					CZ/FZ ø2" - ø6"  | 
				
					 | 
			
| 
					CdTe 碲化镉单晶  | 
				None | 
					 | 
				
					 | 
				
					 | 
				Br | 详情 | 
| 
					ZnTe 碲化锌单晶  | 
				None | 
					 | 
				
					 | 
				
					 | 
				
					Markov ø30mm  | 
				详情 | 
分享到:
                       


扫码咨询光刻胶、模板
        
扫码咨询红外测温仪、单晶、靶材
        
扫码咨询介电阻抗谱、杨氏模量无损测量