北京汇德信科技有限公司

光刻胶/抗蚀剂-特殊工艺用光刻胶

特殊工艺用光刻胶

Special manufacture/experimental sample


型号 特性
导电胶
AR-PC 5090
AR-PC 5091
NEW!
电子束曝光用导电层,不含光敏物质。
在绝缘衬底上做电子束曝光时,为了避免电荷累积,大家通常会选择涂一层导电胶,来消除电荷累积。在正常的曝光结束后,导电胶会溶于水中,非常容易去除,不会影响正常的电子束曝光工艺。
AR-BR 5400 双层Lift-Off工艺底层胶
可以得到稳定的Lift-off结构,利于金属的沉积。在制作双层工艺时,需要和正胶AR-P 3500或AR-P 3500T配合使用。从270nm到红外区,有良好的光学透明性,热稳定性好。
AR-PC 500 耐酸碱保护胶
在酸碱中有很好的耐刻蚀性能,不含光敏物质。尤其在碱性环境(40% KOH)中非常稳定。一般涂于衬底背面,防止刻蚀工艺中的化学物质损害其背面结构。503颜色为黑色,较504耐刻蚀性能稍弱。
SX AR-PC 5000/40 耐酸碱保护胶
在酸碱中有很好的耐刻蚀性能,不含光敏物质。在40%的KOH和50%的HF中,具有很好的保护作用的,耐刻蚀时间可以长达数小时。另外,还可以和正胶配合使用,通过双层工艺来制作图形。
AR-P 5910 耐HF酸刻蚀光刻胶,正胶
对基底有很好的粘附性,一般用于低浓度的HF,在5% 以下的HF 酸中有很好的保护作用。
X AR-P 5900/4 耐碱刻蚀光刻胶,正胶
主要用于耐碱刻蚀以及保护层。光刻胶可以在2n(2mol/L)的NaOH中可以稳定很长时间。
SX AR-PC 5000/80 聚酰亚胺光刻胶,不含光敏物质
热稳定性光刻胶,在400℃时仍然很稳定。不含光敏物质,但是可以和正胶配合使用,通过双层工艺来制作图形。可以用于制作传感器材料、保护层及绝缘层。
SX AR-PC 5000/82 聚酰亚胺光刻胶,紫外正胶
热稳定性光刻胶,正胶,在400℃时仍然很稳定。具有良好的耐等离子刻蚀性能,可用于离子注入工艺。
X AR-P 5800/7 深紫外曝光胶,正胶
深紫外曝光(248 - 265 nm 和300 - 450 nm),在这个波长范围内,光刻胶的透射率高。耐刻蚀性能好。适合接触曝光,曝光过程中,产生的氮气少,可以提高图形质量。
SX AR-P 3500/6 全息曝光用胶,正胶
在长波段具有很好的灵敏度,敏感波段为(308 – 500nm),主要用于全息曝光工艺。
SX AR-N 4810/1 有机溶剂显影光刻胶(用于无水环境),负胶
基于PMMA的负胶,曝光波长230 – 440nm。主要用于工艺中衬底材料对水敏感,需要无水环境操作的情况。采用有机溶剂显影,避免了水或潮气对衬底材料的破坏。
SX AR-P 8100.04/1
NEW!
PPA直写胶
适用于热探针直写及电子束曝光,高分辨率(10nm),无需显影过程,涂胶厚度:100nm@4000rpm ,200nm@1000rpm 。不含光敏物质,无需黄光室。


配套试剂
(Process chemicals)


类型 型号 特性
显影液

AR 300-26, -35

紫外光刻胶用 显影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/电子束光刻胶用 显影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA胶用 显影液

定影液

AR 600-60,-61

电子束光刻胶用 定影液

除胶剂

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/电子束光刻胶用 除胶剂

稀释剂

AR 600-01…09

PMMA胶 稀释剂

AR 300-12

紫外/电子束光刻胶用 稀释剂

增附剂

AR 300-80, HMDS

紫外/电子束光刻胶用 增附剂


 

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