碳化硅衬底 Silicon carbide Substrate

结构分子式:

SiC (6H)

形态：

单晶

晶体结构：

六方晶系

a = 3.08 Å

c = 15.12 Å

熔点：

2700°C subl.

制备方法：

Lely

晶向：

(0001)

晶向精度：

max. 30'; typ. < 20'

标准尺寸：

10mm x 10mm, 10mm x 5mm, thickness 0.3mm

最大直径：

Ø 1"

长度误差：

+0 / - 0.05mm

抛光：

单/双面外延抛光