北京汇德信科技有限公司

碳化硅衬底 Silicon carbide Substrate


材料性质


结构分子式:

SiC (6H)


形态:

单晶


晶体结构:

六方晶系

a = 3.08 Å

c = 15.12 Å

熔点:

2700°C subl.



衬底性质


制备方法:

Lely

晶向:

(0001)

晶向精度:

max. 30'; typ. < 20'

标准尺寸:

10mm x 10mm, 10mm x 5mm, thickness 0.3mm

最大直径:

Ø 1"

长度误差:

+0 / - 0.05mm

抛光:

单/双面外延抛光

 

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