北京汇德信科技有限公司

碳化硅衬底 Silicon carbide Substrate


材料性质


结构分子式:

SiC (6H)


形态:

单晶


晶体结构:

六方晶系

a = 3.08 Å

c = 15.12 Å

熔点:

2700°C subl.



衬底性质


制备方法:

Lely

晶向:

(000