北京汇德信科技有限公司

原子层沉积系统 ALD / 化学汽相沉积系统 CVD



OLED Evaporator
三个束源炉/样品为10×10mm,可以加热或冷却。


原子层沉积技术(atomic layer deposition, ALD)已经逐渐成为了一项沉积功能薄膜的重要技术。该技术可以在纳米级尺度上精确控制物质成分和形貌,它可以将被沉积物质以单原子膜的形式一层一层的镀在基底表面。


原子层沉积的过程是通过连续的自限制的半反应来实现的,在沉积的反应过程中反应的气相前驱体交替通入并在基底表面通过活性官能团形成单层化学吸附并完成反应,经过这样的交替循环的反应,薄膜将得到厚度的纳米级可控生长。由于具有这些沉积特性,原子层沉积技术具有沉积大面积均匀薄膜,膜厚纳米级可控生长,低温条件沉积,适合各种复杂基底(如高深宽比的结构)的优异性能。这些独特的优势使原子层沉积技术在大规模集成电路、新型能源、催化剂,储能材料等方面均有着重要的应用前景。


原子层沉积系统的主要特点:


  • 我们的ALD系统是可以直接成为thermal ALD+RF plasma coil或者是ECR source,所以它可以简单使用热的反应源也可以使用等离子体加强反应。当它在ECR(电子回旋共振)模式的时候,可以变身成为MPCVD(微波等离子体化学汽相沉积),可以生长金刚石薄膜。
  • 专门配备了微波等离子体源,产生连续电离、振动激发和碰撞的等离子体。
  • 我们可以装4个前驱物。样品最大可以做到8英寸。
  • 提供足够的前驱体单元,使用复杂的气体控制面板将沉积材料引入衬底。沉积室和衬底操纵器提供真空条件和衬底温度的精确控制,以确保外延沉积过程。
  • 因为我们有线性传输系统,所以我们的ALD可以被设计成超高真空式ALD。其工作原理是,先把底压抽至超高真空,然后工作时把前驱物放入反应腔进行反应。
  • 我们还有另外一个特殊设计的高温阀门组,可以使用温度高达500摄氏度的前驱物。最适合想发明新颖前驱物的科学家,可以使用这种高低温并行的高级系统(此技术本公司独有)。
  • 利用FBBEAR控制软件,工艺过程自动化控制,实现了精确控制和高稳定性。FBBEAR控制软件提供完整的数据记录、精确的参数调整,使用户操作简单,实验重复性可靠。


应用:


PEALD可用于硅、氧化硅等材料的薄层沉积。



 

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