北京汇德信科技有限公司

分子束外延系统(MBE)


超高真空分子束外延系统MBE-10
超高真空分子束外延系统MBE-10,
四寸~六寸的样品
分子束外延系统MBE-8
分子束外延系统MBE-8
三寸以下的样品


分子束外延是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下,由装有各种所需组分的束源炉加热而产生的蒸气,经小孔准直后形成的分子束或原子束,直接喷射到适当温度的单晶基片上,同时控制分子束对衬底扫描,就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。


外延是一种制备单晶薄膜的新技术,它是在适当的衬底与合适的条件下,沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制,膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜,以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。


我们产品的主要特点:


  • 可以生长小样品及最大6”样品,4轴样品操纵台(XYZ和旋转)以及专利的5轴(XYZ,Rotation and Tilt)。
  • SiC以及 PBN钨丝等等的加热元件,温度可以加到900摄氏度,如果是两寸以下的样品可以到1100摄氏度。
  • 腔体用SUS316不锈钢制作(至少18%铬和8%镍),这种材料掺杂了钼,极大地减少了碳化铬的形成,使其更耐氧化。该腔室还完全被冷屏所包围,以减少冷凝水和烃类对外延沉积的污染。冷屏还可以热隔离每个束源炉,从而减少蒸发源之间交叉污染的可能性。
  • 真空可到1×10-10torr,使用泵有浦发700分子泵与冷泵。内部有全罩式液氮冷屏,可提供非常大的抽气效率。压力控制系统:上游和下游。
  • 可以装置10个束源炉,最大容量40cc。
  • 可配备晶振、束流监控器、高能电子枪以及监控软件。
  • 标准RHEED系统(实时外延监测)。
  • 可配备固体源、气体源/ ALD阀、等离子增强型束源炉(plasma cell)及我们特制的电子回旋共振束源炉(ECR plasma cell)。可装电子束源E-beam。
  • 可配备含有Z向运动的掩模系统。
  • FBBEAR控制软件使工艺过程自动控制,实现了精确控制和高稳定性。FBBEAR控制软件提供完整的数据记录、精确的参数调整,使用户操作简单,实验重复性可靠。


优势


  • 进样室可装置离子源清洁衬底表面,无氧化物层
  • 外延层(原子层)沉积
  • 保证沉积薄膜的均匀性和纯度
  • 原位沉积金属种子、半导体材料和掺杂剂
  • 精确控制的热蒸发
  • RHEED系统原位监测生长情况


应用


可长二维材料以及拓扑材料、氧化物方面都有很好的性能。如:III-V 族, II-VI 族, Si/SiGe ,金属与金属氧化物(因为我们有独步全球的激光加热器,可到2英寸),以及GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等。


液氮冷屏


分子束外延系统MBE-8


液氮低温泵通过压缩气体,特别是水和重烃冷凝到低温泵的表面,可以提供非常大的抽速。此外,它可以热隔离每个束源炉,并保持住在每个束源炉里面的热量。 完全覆盖的低温泵提供了非常大的液氮容量(超过20000毫升)。



 

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